产品经除尘，碱洗除去hf、cof2、sif4、co2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，四---碳公司，除去o2、n2、h2，得到高纯cf4。四---碳贮存注意事项：气瓶不得靠近火源，不得受日光曝晒，四---碳生产，与明火距离一般应该不小于10米，气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。由碳与氟反应，太原四---碳，或与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，都能生成四---碳。
四---碳是可作为氟和自由基---碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四---碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子，它被紫外线辐---中时会分离。碳-氟键比较强，因此分离的可能性比较低。四---碳在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1mpa下其溶解度为0.0015％（重量比），然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒---物。
反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化。四---碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造，以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。对于硅和二氧化硅体系，采用cf4-h2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45:1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
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