高浓度四---碳-四---碳-谱纯气体,气源充足

对于硅和二氧化硅体系，采用cf4-o2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四---碳的热稳定性---。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °c时，四---碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597，四---碳公司， b= 4.433， c = 8.381 (.10-1 nm)， β = 118.73° 。四---碳是可作为氟和自由基---碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四---碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

对于硅和二氧化硅体系，采用cf4-o2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，高浓度四---碳，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四---碳在不同的---压下呈现的状态是不同的，就像氧气在101kpa时会呈现出液态。四---碳是无色、无臭、不燃的可压缩性气体，发挥性较高.预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。