四---碳在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，工业四---碳，仅在碳弧温度下缓慢分解，高纯四---碳厂，微溶于水，在25℃及0.1mpa下其溶解度为0.0015％（重量比），四---碳，然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒---物。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，高纯四---碳，微溶于水，在25℃及0.1mpa下其溶解度为0.0015%(重量比)，然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒---物。
高纯四---碳主要用于集成电路、半导体的等离子刻蚀领域，可用来蚀刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等离子蚀刻气体。此外，高纯四---碳还可用于印刷电路板清洁、电子元器件清洗、太阳能电池生产等领域。四---碳用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺，也用作激---体，用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。四---碳用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化后，随后通过硅胶干燥塔得到产品。
按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下：因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。以活性炭与氟为原料经---反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。四---碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四---碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。
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