




对于硅和二氧化硅体系,采用cf4-o2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四---碳的热稳定性---。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °c时,四---碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597,工业四---碳, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四---碳是可作为氟和自由基---碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四---碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
反应放热后,氟开始和碳化硅进行反应,通入等体积的干燥氮气以稀释氟气,使反应继续进行,生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,然后慢慢地气化。四---碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造,以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。对于硅和二氧化硅体系,采用cf4-h2反应离子刻蚀时,青岛四---碳,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,工业四---碳厂家,用硅胶除去气体中的水分,经精馏而得成品。四---碳(cf4)在电离后会产生含成分的刻蚀性气相等离子体,能够对各种有机表面实现刻蚀及有机物去除,在晶圆制造、线路板制造、太阳能电池板制造等行业中被广泛应用。在范围内,高纯度四---碳应用于欧洲、亚太地区、北美、中东、非洲和南美洲等地区,受电子产业发展程度不同影响,工业四---碳价格,对于高纯度四---碳的需求也不同,亚洲地区由于电子产业发展落后,近几年电子电器行业处于快速发展状态,因此使得该地区的高纯度四---碳消费量持续---。
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