对于硅和二氧化硅体系，采用cf4-o2反应离子刻蚀时，批发四---碳，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四---碳的热稳定性---。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °c时，四---碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597， b= 4.433， c = 8.381 (.10-1 nm)， β = 118.73° 。四---碳是可作为氟和自由基---碳的来源，四---碳供应商，用于各种晶片蚀刻工艺。四---碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
四---碳亦称全---碳、四氟甲4烷、全---碳，南通四---碳，为非腐蚀性气体，所有通用材料如钢、不锈钢、铜、青铜，铝等金属材料都可以使用。四---碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造，以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，四---碳批发，氟气先和单质硅反应。
四---碳是目前微电子工业中用量大的等离子烛刻气体，其高纯气及四---碳高纯气配高纯阳氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的烛刻。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。由于化学稳定性极强，cf4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。
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